Source: Slashdot
中国上海复旦大学的研究团队创造了一款非易失性闪存设备“PoX”，其单比特编程速度达到400皮秒（0.0000000004秒），大约相当于每秒进行250亿次操作。
这项技术使用二维Dirac石墨烯替代硅通道，实现了超低能耗与快速写入速度的结合，可能会消除当前AI加速器在内存传输中的瓶颈。
该研究的成果已发表在《自然》杂志上。
科技的进步让我们对未来充满期待，或许下一个科学奇迹的诞生就在拐角处。
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来源：https://hardware.slashdot.org/story/25/04/18/2255249/china-develops-flash-memory-10000x-faster-with-400-picosecond-speed?utm_source=rss1.0mainlinkanon&utm_medium=feed
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